K4A8G165WB-BCWE vs H5AN8G6NAFR موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WB-BCWE بذریعہ Samsung Electronics اور H5AN8G6NAFR بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G165WB-BCWE | H5AN8G6NAFR |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | SK hynix |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| اسٹاک کی حالت | In Stock | — |
| فی یونٹ قیمت (USD) | $6.25 | — |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| ڈیٹا ریٹ | 3200 Mbps/pin | 2400 MT/s |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | 1.2 V |
| Access Time | 19 ns | — |
| انٹرفیس | Parallel | — |
| پیکیج | 96FBGA | 96-ball FBGA |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +85C | 0°C to +85°C |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | — |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM B-die | — |
| Prefetch | 8n | — |
| Refresh | Self-refresh supported | — |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | — |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 8 Gb |
| تنظیم | — | 512M x 16 |
| Lead-Free | — | Yes |
| ہیلوجن فری | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |