K4A8G165WB-BCWE vs H5AN8G6NAFR Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4A8G165WB-BCWE sa pamamagitan ng Samsung Electronics at H5AN8G6NAFR sa pamamagitan ng SK hynix. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ Nakahanda
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4A8G165WB-BCWE | H5AN8G6NAFR |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | SK hynix |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Katayuan ng Stock | In Stock | — |
| Presyo ng Yunit (USD) | $6.25 | — |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Laki ng Memory | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Rate ng Data | 3200 Mbps/pin | 2400 MT/s |
| Volte ng Pagbibigay | 1.2 V | 1.2 V |
| Access Time | 19 ns | — |
| Interface | Parallel | — |
| Packhaging | 96FBGA | 96-ball FBGA |
| Temperature na Operasyon | 0C to +85C | 0°C to +85°C |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | — |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM B-die | — |
| Prefetch | 8n | — |
| Refresh | Self-refresh supported | — |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| Tindminan RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | — |
| Level ng MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organisasyon | — | 512M x 16 |
| Lead-Free | — | Yes |
| Wala sa Halogen | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |