K4RAH086VB-BCQK vs H5CG48MEBDX014N مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RAH086VB-BCQK بواسطة Samsung Electronics و H5CG48MEBDX014N بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4RAH086VB-BCQK | H5CG48MEBDX014N |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | SK hynix |
| الفئة | DRAM | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | In Stock | — |
| سعر الوحدة (USD) | $41.02 | — |
| نوع الذاكرة | DDR5 SDRAM (Volatile DRAM) | DDR5 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 2G x 8 | — |
| معدل البيانات | 4800 Mbps | 4800 Mbps |
| جهد التغذية | 1.1 V | 1.1 V |
| الواجهة | Parallel | — |
| Technology | DDR5 | — |
| ECC | On-die ECC | — |
| العلبة | FBGA-82 | FBGA-82 (11 x 10 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Product Status | Active | — |
| Operating Mode | DLL Enabled mode | — |
| Series | K4RAH0x6VB (DDR5 16Gb B-die family) | — |
| Packaging | Tray | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | Compliant |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh specification] | — |
| Density | — | 16 Gbit |
| التنظيم | — | 2G x 8 |
| Row Address | — | 12 bits |
| Column Address | — | 9 bits |
| Die Generation | — | M-die |
| نوع الواجهة | — | Parallel, DDR5 |
| Memory Class | — | Synchronous DRAM |
| Speed Class | — | DDR5-4800 (PC5) |