K4RAH086VB-BCQK vs H5CG48MEBDX014N مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4RAH086VB-BCQK توسط Samsung Electronics و H5CG48MEBDX014N توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4RAH086VB-BCQK | H5CG48MEBDX014N |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | SK hynix |
| دسته‌بندی | DRAM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| وضعیت موجودی | In Stock | — |
| قیمت واحد (USD) | $41.02 | — |
| نوع حافظه | DDR5 SDRAM (Volatile DRAM) | DDR5 SDRAM |
| اندازه حافظه | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 2G x 8 | — |
| نرخ داده | 4800 Mbps | 4800 Mbps |
| ولتاژ تغذیه | 1.1 V | 1.1 V |
| رابط | Parallel | — |
| Technology | DDR5 | — |
| ECC | On-die ECC | — |
| بسته‌بندی | FBGA-82 | FBGA-82 (11 x 10 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Product Status | Active | — |
| Operating Mode | DLL Enabled mode | — |
| Series | K4RAH0x6VB (DDR5 16Gb B-die family) | — |
| Packaging | Tray | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | Compliant |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh specification] | — |
| Density | — | 16 Gbit |
| سازمان | — | 2G x 8 |
| Row Address | — | 12 bits |
| Column Address | — | 9 bits |
| Die Generation | — | M-die |
| نوع رابط | — | Parallel, DDR5 |
| Memory Class | — | Synchronous DRAM |
| Speed Class | — | DDR5-4800 (PC5) |