K4RAH086VB-BCQK vs H5CG48MEBDX014N השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4RAH086VB-BCQK מאת Samsung Electronics ו H5CG48MEBDX014N מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4RAH086VB-BCQK | H5CG48MEBDX014N |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | SK hynix |
| קטגוריה | DRAM | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סטטוס מלאי | In Stock | — |
| מחיר ליחידה (USD) | $41.02 | — |
| סוג זיכרון | DDR5 SDRAM (Volatile DRAM) | DDR5 SDRAM |
| גודל זיכרון | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 2G x 8 | — |
| קצב נתונים | 4800 Mbps | 4800 Mbps |
| מתח אספקה | 1.1 V | 1.1 V |
| ממשק | Parallel | — |
| Technology | DDR5 | — |
| ECC | On-die ECC | — |
| מארז | FBGA-82 | FBGA-82 (11 x 10 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Product Status | Active | — |
| Operating Mode | DLL Enabled mode | — |
| Series | K4RAH0x6VB (DDR5 16Gb B-die family) | — |
| Packaging | Tray | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | Compliant |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh specification] | — |
| Density | — | 16 Gbit |
| ארגון | — | 2G x 8 |
| Row Address | — | 12 bits |
| Column Address | — | 9 bits |
| Die Generation | — | M-die |
| סוג ממשק | — | Parallel, DDR5 |
| Memory Class | — | Synchronous DRAM |
| Speed Class | — | DDR5-4800 (PC5) |