NT6AN8T0SA vs K4A8G085WB-BIWE مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ NT6AN8T0SA بواسطة Nanya Technology و K4A8G085WB-BIWE بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | NT6AN8T0SA | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | LPDDR2 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 2Gb | — |
| التنظيم | 64M x 32 | — |
| جهد التغذية | 1.2V | 1.2 V |
| I/O Voltage | 1.2V | — |
| معدل البيانات | 1066 Mbps (533 MHz) | 3200 Mbps |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -30°C to +85°C | — |
| العلبة | FBGA | 78-FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Refresh Period | 64ms at 85°C | — |
| Burst Length | 4 or 8 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| حجم الذاكرة | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0°C to +85°C |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |