NT6AN8T0SA vs K4A8G085WB-BIWE مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار NT6AN8T0SA توسط Nanya Technology و K4A8G085WB-BIWE توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | NT6AN8T0SA | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| برند | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | LPDDR2 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 2Gb | — |
| سازمان | 64M x 32 | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.2V | 1.2 V |
| I/O Voltage | 1.2V | — |
| نرخ داده | 1066 Mbps (533 MHz) | 3200 Mbps |
| محدوده دمای کاری | -30°C to +85°C | — |
| بسته‌بندی | FBGA | 78-FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Refresh Period | 64ms at 85°C | — |
| Burst Length | 4 or 8 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| اندازه حافظه | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| دمای کاری | — | 0°C to +85°C |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| بدون هالوژن | — | Yes |