NT6AN8T0SA vs K4A8G085WB-BIWE So sánh
So sánh chi tiết song song của NT6AN8T0SA bằng Nanya Technology và K4A8G085WB-BIWE bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | NT6AN8T0SA | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | LPDDR2 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 2Gb | — |
| Tổ chức | 64M x 32 | — |
| Điện áp cung cấp | 1.2V | 1.2 V |
| I/O Voltage | 1.2V | — |
| Tốc độ dữ liệu | 1066 Mbps (533 MHz) | 3200 Mbps |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -30°C to +85°C | — |
| Hộp | FBGA | 78-FBGA |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Refresh Period | 64ms at 85°C | — |
| Burst Length | 4 or 8 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| Kích thước bộ nhớ | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Nhiệt độ hoạt động | — | 0°C to +85°C |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Latency CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Đông trùng haogen | — | Yes |