NT6AN8T0SA vs K4A8G085WB-BIWE השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של NT6AN8T0SA מאת Nanya Technology ו K4A8G085WB-BIWE מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | NT6AN8T0SA | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| מותג | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | LPDDR2 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 2Gb | — |
| ארגון | 64M x 32 | — |
| מתח אספקה | 1.2V | 1.2 V |
| I/O Voltage | 1.2V | — |
| קצב נתונים | 1066 Mbps (533 MHz) | 3200 Mbps |
| טווח טמפרטורת פעולה | -30°C to +85°C | — |
| מארז | FBGA | 78-FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Refresh Period | 64ms at 85°C | — |
| Burst Length | 4 or 8 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| גודל זיכרון | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| טמפרטורת פעולה | — | 0°C to +85°C |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| נטול הלוגנים | — | Yes |