NT6AN8T0SA vs K4A8G085WB-BIWE Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma NT6AN8T0SA tarafından Nanya Technology ve K4A8G085WB-BIWE tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | NT6AN8T0SA | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marka | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | LPDDR2 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 2Gb | — |
| Organizasyon | 64M x 32 | — |
| Besleme Gerilimi | 1.2V | 1.2 V |
| I/O Voltage | 1.2V | — |
| Veri Hızı | 1066 Mbps (533 MHz) | 3200 Mbps |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -30°C to +85°C | — |
| Paket | FBGA | 78-FBGA |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Refresh Period | 64ms at 85°C | — |
| Burst Length | 4 or 8 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| Bellek Boyutu | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| İşletim Sıcaklığı | — | 0°C to +85°C |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| CAS Gecikme | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Klorürsüz | — | Yes |