AS4C256M16D3L-12BCN vs K4B4G1646D-BCK0 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা AS4C256M16D3L-12BCN নির্দিষ্ট Alliance Memory ও K4B4G1646D-BCK0 নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | AS4C256M16D3L-12BCN | K4B4G1646D-BCK0 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 4 Gbit | — |
| সংগঠন | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ডেটা বাস প্রস্থ | 16 bit | — |
| সর্বোচ্চ ক্লক ফ্রিকোয়েন্সি | 800 MHz | — |
| ডেটা রেট | 1600 Mbps | 1600 Mbps per pin |
| CAS লেটেন্সি | 20 ns | 11 (programmable) |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.35 V | — |
| প্যাকেজ | 96-FBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| মাউন্টিং স্টাইল | SMD/SMT | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | 0C to +95C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| হ্যালোজেন মুক্ত | Yes | — |
| ইন্টারফেস টাইপ | Parallel | — |
| পিনের সংখ্যা | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | 0°C to 95°C (Tc) |
| Lead-Free | — | Yes |
| হ্যালোজেন মুক্ত | — | Yes |