AS4C256M16D3L-12BCN vs K4B4G1646D-BCK0 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma AS4C256M16D3L-12BCN tarafından Alliance Memory ve K4B4G1646D-BCK0 tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | AS4C256M16D3L-12BCN | K4B4G1646D-BCK0 |
|---|---|---|
| Marka | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Bellek Boyutu | 4 Gbit | — |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Veri Bus Genişliği | 16 bit | — |
| Azami Saat Hızı | 800 MHz | — |
| Veri Hızı | 1600 Mbps | 1600 Mbps per pin |
| CAS Gecikme | 20 ns | 11 (programmable) |
| Besleme Gerilimi | 1.35 V | — |
| Paket | 96-FBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Montaj Stili | SMD/SMT | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | 0C to +95C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Klorürsüz | Yes | — |
| Arayüz Türü | Parallel | — |
| Pin Sayısı | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| İşletim Sıcaklığı | — | 0°C to 95°C (Tc) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Klorürsüz | — | Yes |