AS4C256M16D3L-12BCN vs K4B4G1646D-BCK0 比較
詳細並排比較 AS4C256M16D3L-12BCN 由 Alliance Memory 與 K4B4G1646D-BCK0 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ 啟用中規格比較
| 參數 | AS4C256M16D3L-12BCN | K4B4G1646D-BCK0 |
|---|---|---|
| 品牌 | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 記憶體容量 | 4 Gbit | — |
| 組織 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 資料匯流排寬度 | 16 bit | — |
| 最大時脈頻率 | 800 MHz | — |
| 資料速率 | 1600 Mbps | 1600 Mbps per pin |
| CAS 延遲 | 20 ns | 11 (programmable) |
| 供應電壓 | 1.35 V | — |
| 封裝 | 96-FBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| 安裝方式 | SMD/SMT | — |
| 工作溫度範圍 | 0C to +95C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| 無鹵素 | Yes | — |
| 介面類型 | Parallel | — |
| 腳位數 | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| 工作溫度 | — | 0°C to 95°C (Tc) |
| Lead-Free | — | Yes |
| 無鹵素 | — | Yes |