AS4C256M16D3L-12BCN vs K4B4G1646D-BCK0 So sánh

So sánh chi tiết song song của AS4C256M16D3L-12BCN bằng Alliance Memory và K4B4G1646D-BCK0 bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory

AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory

AS4C256M16D3L-12BCN ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK0 K4B4G1646D-BCK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BCK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BCK0 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số AS4C256M16D3L-12BCN K4B4G1646D-BCK0
Thương hiệu Alliance Memory Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Kích thước bộ nhớ 4 Gbit —
Tổ chức 256M x 16 256M x 16
Bề rộng đường dữ liệu 16 bit —
Tần số xung maksimum 800 MHz —
Tốc độ dữ liệu 1600 Mbps 1600 Mbps per pin
Latency CAS 20 ns 11 (programmable)
Điện áp cung cấp 1.35 V —
Hộp 96-FBGA (9x13 mm) 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch)
Kiểu lắp đặt SMD/SMT —
Khoảng nhiệt độ hoạt động 0C to +95C (Tc) —
RoHS Compliant Compliant
Đông trùng haogen Yes —
Loại giao diện Parallel —
Số lượng chân 96 —
Density — 4 Gb
Number of Banks — 8
Clock Frequency — 800 MHz
Supply Voltage (VDD) — 1.35V (1.283V to 1.45V)
Supply Voltage (VDDQ) — 1.35V (1.283V to 1.45V)
Burst Length — 8, 4
Nhiệt độ hoạt động — 0°C to 95°C (Tc)
Lead-Free — Yes
Đông trùng haogen — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá