AS4C256M16D3L-12BCN vs K4B4G1646D-BCK0 Pengandingan
Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci AS4C256M16D3L-12BCN disebabkan oleh Alliance Memory dan K4B4G1646D-BCK0 disebabkan oleh Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ AktifPengandingan Spesifikasi
| Parametr | AS4C256M16D3L-12BCN | K4B4G1646D-BCK0 |
|---|---|---|
| Merek | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Jenis Ingatan | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Saiz Ingatan | 4 Gbit | — |
| Organisasi | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Lebar Bus Data | 16 bit | — |
| Frekuensi Klock Maksimum | 800 MHz | — |
| Kadar Data | 1600 Mbps | 1600 Mbps per pin |
| Latensi CAS | 20 ns | 11 (programmable) |
| Tegangan Pemberi Arus | 1.35 V | — |
| Kemasan | 96-FBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Gaya Pemasangan | SMD/SMT | — |
| Gambaran Suhu Operasi | 0C to +95C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Boson Bebas | Yes | — |
| Jenis Antaramuka | Parallel | — |
| Bilangan Pin | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| Suhu Operasi | — | 0°C to 95°C (Tc) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Boson Bebas | — | Yes |