AS4C256M16D3L-12BCN vs K4B4G1646D-BCK0 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना AS4C256M16D3L-12BCN द्वारा Alliance Memory और K4B4G1646D-BCK0 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | AS4C256M16D3L-12BCN | K4B4G1646D-BCK0 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4 Gbit | — |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| डेटा बस चौड़ाई | 16 bit | — |
| अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी | 800 MHz | — |
| डेटा दर | 1600 Mbps | 1600 Mbps per pin |
| CAS लेटेंसी | 20 ns | 11 (programmable) |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V | — |
| पैकेज | 96-FBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| माउंटिंग स्टाइल | SMD/SMT | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | 0C to +95C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| इंटरफ़ेस प्रकार | Parallel | — |
| पिन की संख्या | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0°C to 95°C (Tc) |
| Lead-Free | — | Yes |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |