AS4C256M16D3L-12BCN vs K4B4G1646D-BCK0 Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng AS4C256M16D3L-12BCN sa pamamagitan ng Alliance Memory at K4B4G1646D-BCK0 sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | AS4C256M16D3L-12BCN | K4B4G1646D-BCK0 |
|---|---|---|
| Brand | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Laki ng Memory | 4 Gbit | — |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Width ng Data Bus | 16 bit | — |
| Maksimum na Taktiko ng Oras | 800 MHz | — |
| Rate ng Data | 1600 Mbps | 1600 Mbps per pin |
| Latensya ng CAS | 20 ns | 11 (programmable) |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V | — |
| Packhaging | 96-FBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Style ng Pagpapasok | SMD/SMT | — |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | 0C to +95C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Wala sa Halogen | Yes | — |
| Uri ng Interface | Parallel | — |
| Bilang ng Pins | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| Temperature na Operasyon | — | 0°C to 95°C (Tc) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Wala sa Halogen | — | Yes |