K4B4G1646E-BYMATCV vs H5TC4G63AFR-PBA তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4B4G1646E-BYMATCV নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও H5TC4G63AFR-PBA নির্দিষ্ট SK hynix. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4B4G1646E-BYMATCV | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | SK hynix |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ইউনিট মূল্য (USD) | — | $3.98 |
| মেমরি টাইপ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| ডেটা রেট | 1866 Mbps | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.35 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| প্যাকেজ | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| পিনের সংখ্যা | 96 | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C (Tcase) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 and 4 (with burst chop) |
| CAS লেটেন্সি | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| Density | — | 4Gb |
| সংগঠন | — | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| ইন্টারফেস | — | 16-bit I/O |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |