K4B4G1646E-BYMATCV vs H5TC4G63AFR-PBA השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646E-BYMATCV מאת Samsung Electronics ו H5TC4G63AFR-PBA מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646E-BYMATCV | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | SK hynix |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $3.98 |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| גודל זיכרון | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| קצב נתונים | 1866 Mbps | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| מתח אספקה | 1.35 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| מארז | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| מספר פינים | 96 | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C (Tcase) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 and 4 (with burst chop) |
| השהיית CAS | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4Gb |
| ארגון | — | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| ממשק | — | 16-bit I/O |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |