K4B4G1646E-BYMATCV vs H5TC4G63AFR-PBA So sánh
So sánh chi tiết song song của K4B4G1646E-BYMATCV bằng Samsung Electronics và H5TC4G63AFR-PBA bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4B4G1646E-BYMATCV | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | SK hynix |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Giá đơn vị (USD) | — | $3,98 |
| Kiểu bộ nhớ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| Tốc độ dữ liệu | 1866 Mbps | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| Điện áp cung cấp | 1.35 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| Hộp | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Số lượng chân | 96 | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C (Tcase) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 and 4 (with burst chop) |
| Latency CAS | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4Gb |
| Tổ chức | — | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| Giao diện | — | 16-bit I/O |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |