K4B4G1646E-BYMATCV vs H5TC4G63AFR-PBA तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646E-BYMATCV द्वारा Samsung Electronics और H5TC4G63AFR-PBA द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646E-BYMATCV | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $3.98 |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| डेटा दर | 1866 Mbps | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| पैकेज | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| पिन की संख्या | 96 | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C (Tcase) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 and 4 (with burst chop) |
| CAS लेटेंसी | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Density | — | 4Gb |
| संगठन | — | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| इंटरफ़ेस | — | 16-bit I/O |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |