K4B4G1646E-BYMATCV vs H5TC4G63AFR-PBA مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646E-BYMATCV توسط Samsung Electronics و H5TC4G63AFR-PBA توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646E-BYMATCV | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | — | $3.98 |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| اندازه حافظه | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| نرخ داده | 1866 Mbps | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| ولتاژ تغذیه | 1.35 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| تعداد پین‌ها | 96 | — |
| محدوده دمای کاری | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C (Tcase) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 and 4 (with burst chop) |
| تأخیر CAS | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4Gb |
| سازمان | — | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| رابط | — | 16-bit I/O |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |