K4B4G1646E-BYMATCV vs H5TC4G63AFR-PBA موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646E-BYMATCV بذریعہ Samsung Electronics اور H5TC4G63AFR-PBA بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646E-BYMATCV | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | SK hynix |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $3.98 |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| میموری سائز | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| ڈیٹا ریٹ | 1866 Mbps | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| پیکیج | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| پنز کی تعداد | 96 | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C (Tcase) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 and 4 (with burst chop) |
| CAS لیٹنسی | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Density | — | 4Gb |
| تنظیم | — | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| انٹرفیس | — | 16-bit I/O |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |