K4A8G085WB-BIWE vs H5AN8G8NDJR तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G085WB-BIWE द्वारा Samsung Electronics और H5AN8G8NDJR द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G085WB-BIWE | H5AN8G8NDJR |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| डेटा दर | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to +85°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| पैकेज | 78-FBGA | FBGA-78 (7.5x11 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CL value] | 22 (typical) |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| संगठन | — | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VDDQ | — | 1.2 V |
| VPP | — | 2.5 V |
| tRCD | — | 22 ns |
| tRP | — | 22 ns |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| Self-Refresh Current | — | 30 mA (typical) |
| Active Standby Current | — | 60 mA (typical) |
| RoHS | — | Compliant |