K4A8G085WB-BIWE vs H5AN8G8NDJR موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WB-BIWE بذریعہ Samsung Electronics اور H5AN8G8NDJR بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G085WB-BIWE | H5AN8G8NDJR |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | SK hynix |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| ڈیٹا ریٹ | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to +85°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| پیکیج | 78-FBGA | FBGA-78 (7.5x11 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| CAS لیٹنسی | [DATA_NEEDED: CL value] | 22 (typical) |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| تنظیم | — | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VDDQ | — | 1.2 V |
| VPP | — | 2.5 V |
| tRCD | — | 22 ns |
| tRP | — | 22 ns |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| Self-Refresh Current | — | 30 mA (typical) |
| Active Standby Current | — | 60 mA (typical) |
| RoHS | — | Compliant |