K4A8G085WB-BIWE vs H5AN8G8NDJR مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G085WB-BIWE توسط Samsung Electronics و H5AN8G8NDJR توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G085WB-BIWE | H5AN8G8NDJR |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| نرخ داده | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | — |
| دمای کاری | 0°C to +85°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| بسته‌بندی | 78-FBGA | FBGA-78 (7.5x11 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | 22 (typical) |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| سازمان | — | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VDDQ | — | 1.2 V |
| VPP | — | 2.5 V |
| tRCD | — | 22 ns |
| tRP | — | 22 ns |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| Self-Refresh Current | — | 30 mA (typical) |
| Active Standby Current | — | 60 mA (typical) |
| RoHS | — | Compliant |