K4A8G085WB-BIWE vs H5AN8G8NDJR השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G085WB-BIWE מאת Samsung Electronics ו H5AN8G8NDJR מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G085WB-BIWE | H5AN8G8NDJR |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | SK hynix |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| קצב נתונים | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| מתח אספקה | 1.2 V | — |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to +85°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| מארז | 78-FBGA | FBGA-78 (7.5x11 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | 22 (typical) |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| ארגון | — | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VDDQ | — | 1.2 V |
| VPP | — | 2.5 V |
| tRCD | — | 22 ns |
| tRP | — | 22 ns |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| Self-Refresh Current | — | 30 mA (typical) |
| Active Standby Current | — | 60 mA (typical) |
| RoHS | — | Compliant |