K4A8G085WB-BIWE vs H5AN8G8NDJR Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4A8G085WB-BIWE sa pamamagitan ng Samsung Electronics at H5AN8G8NDJR sa pamamagitan ng SK hynix. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4A8G085WB-BIWE | H5AN8G8NDJR |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | SK hynix |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Laki ng Memory | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Rate ng Data | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Volte ng Pagbibigay | 1.2 V | — |
| Temperature na Operasyon | 0°C to +85°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| Packhaging | 78-FBGA | FBGA-78 (7.5x11 mm) |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| Latensya ng CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | 22 (typical) |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Tindminan RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Wala sa Halogen | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organisasyon | — | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VDDQ | — | 1.2 V |
| VPP | — | 2.5 V |
| tRCD | — | 22 ns |
| tRP | — | 22 ns |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| Self-Refresh Current | — | 30 mA (typical) |
| Active Standby Current | — | 60 mA (typical) |
| RoHS | — | Compliant |