K4B4G1646E-BYMA vs AS4C256M16D3L-12BCNTR तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646E-BYMA द्वारा Samsung Electronics और AS4C256M16D3L-12BCNTR द्वारा Alliance Memory. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCNTR - 4Gbit DDR3L SDRAM 96-FBGA | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCNTR ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646E-BYMA | AS4C256M16D3L-12BCNTR |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | $14.32 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gb | — |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.283V ~ 1.45V |
| Clock Frequency | 933 MHz | 800 MHz |
| डेटा दर | 1866 Mbps/pin | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| पैकेज | FBGA-96 | 96-FBGA (9x13mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | — |
| पिन की संख्या | 96 | — |
| मेमोरी आकार | — | 4Gbit (256M x 16) |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel |
| Access Time | — | 20 ns |
| डेटा बस चौड़ाई | — | 16 bit |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| सप्लाई करंट | — | [DATA_NEEDED: Supply Current] |