K4B4G1646E-BYMA vs AS4C256M16D3L-12BCNTR Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4B4G1646E-BYMA sa pamamagitan ng Samsung Electronics at AS4C256M16D3L-12BCNTR sa pamamagitan ng Alliance Memory. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCNTR - 4Gbit DDR3L SDRAM 96-FBGA | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCNTR ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4B4G1646E-BYMA | AS4C256M16D3L-12BCNTR |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Presyo ng Yunit (USD) | $14.32 | — |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.283V ~ 1.45V |
| Clock Frequency | 933 MHz | 800 MHz |
| Rate ng Data | 1866 Mbps/pin | — |
| Temperature na Operasyon | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| Packhaging | FBGA-96 | 96-FBGA (9x13mm) |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| Latensya ng CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | — |
| Bilang ng Pins | 96 | — |
| Laki ng Memory | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | 20 ns |
| Width ng Data Bus | — | 16 bit |
| Tindminan RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Kuru-kuryente ng Pagbibigay | — | [DATA_NEEDED: Supply Current] |