K4B4G1646E-BYMA vs AS4C256M16D3L-12BCNTR השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646E-BYMA מאת Samsung Electronics ו AS4C256M16D3L-12BCNTR מאת Alliance Memory. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCNTR - 4Gbit DDR3L SDRAM 96-FBGA | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCNTR ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646E-BYMA | AS4C256M16D3L-12BCNTR |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | $14.32 | — |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gb | — |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| מתח אספקה | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.283V ~ 1.45V |
| Clock Frequency | 933 MHz | 800 MHz |
| קצב נתונים | 1866 Mbps/pin | — |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| מארז | FBGA-96 | 96-FBGA (9x13mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | — |
| מספר פינים | 96 | — |
| גודל זיכרון | — | 4Gbit (256M x 16) |
| ממשק | — | Parallel |
| Access Time | — | 20 ns |
| רוחב אפיק נתונים | — | 16 bit |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| זרם אספקה | — | [DATA_NEEDED: Supply Current] |