K4B4G1646E-BYMA vs AS4C256M16D3L-12BCNTR So sánh

So sánh chi tiết song song của K4B4G1646E-BYMA bằng Samsung Electronics và AS4C256M16D3L-12BCNTR bằng Alliance Memory. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Hoạt động
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCNTR AS4C256M16D3L-12BCNTR - 4Gbit DDR3L SDRAM 96-FBGA | Alliance Memory

AS4C256M16D3L-12BCNTR - 4Gbit DDR3L SDRAM 96-FBGA | Alliance Memory

AS4C256M16D3L-12BCNTR ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4B4G1646E-BYMA AS4C256M16D3L-12BCNTR
Thương hiệu Samsung Electronics Alliance Memory
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) $14,32 —
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gb —
Tổ chức 256M x 16 256M x 16
Điện áp cung cấp 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) 1.283V ~ 1.45V
Clock Frequency 933 MHz 800 MHz
Tốc độ dữ liệu 1866 Mbps/pin —
Nhiệt độ hoạt động 0°C to +95°C 0°C to +95°C
Operating Current 14 mA —
Standby Current 2 mA, 3 mA —
Hộp FBGA-96 96-FBGA (9x13mm)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliant —
Latency CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length [DATA_NEEDED: Burst Length] —
Số lượng chân 96 —
Kích thước bộ nhớ — 4Gbit (256M x 16)
Giao diện — Parallel
Access Time — 20 ns
Bề rộng đường dữ liệu — 16 bit
Trạng thái RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Điện áp cung cấp — [DATA_NEEDED: Supply Current]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá