K4B4G1646E-BYMA vs AS4C256M16D3L-12BCNTR موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646E-BYMA بذریعہ Samsung Electronics اور AS4C256M16D3L-12BCNTR بذریعہ Alliance Memory. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ فعال
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCNTR AS4C256M16D3L-12BCNTR - 4Gbit DDR3L SDRAM 96-FBGA | Alliance Memory

AS4C256M16D3L-12BCNTR - 4Gbit DDR3L SDRAM 96-FBGA | Alliance Memory

AS4C256M16D3L-12BCNTR ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4B4G1646E-BYMA AS4C256M16D3L-12BCNTR
برانڈ Samsung Electronics Alliance Memory
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) $14.32 —
میموری ٹائپ DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gb —
تنظیم 256M x 16 256M x 16
سپلائی وولٹیج 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) 1.283V ~ 1.45V
Clock Frequency 933 MHz 800 MHz
ڈیٹا ریٹ 1866 Mbps/pin —
آپریٹنگ درجہ حرارت 0°C to +95°C 0°C to +95°C
Operating Current 14 mA —
Standby Current 2 mA, 3 mA —
پیکیج FBGA-96 96-FBGA (9x13mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliant —
CAS لیٹنسی [DATA_NEEDED: CAS Latency] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length [DATA_NEEDED: Burst Length] —
پنز کی تعداد 96 —
میموری سائز — 4Gbit (256M x 16)
انٹرفیس — Parallel
Access Time — 20 ns
ڈیٹا بس چوڑائی — 16 bit
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Lead-Free — Yes
سپلائی کرنٹ — [DATA_NEEDED: Supply Current]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں