NT6AN8T6WBJ1B1 vs W634GU6RB09J Pengandingan
Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci NT6AN8T6WBJ1B1 disebabkan oleh Nanya Technology dan W634GU6RB09J disebabkan oleh Winbond. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.
Pengandingan Spesifikasi
| Parametr | NT6AN8T6WBJ1B1 | W634GU6RB09J |
|---|---|---|
| Merek | Nanya Technology | Winbond |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Jenis Ingatan | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Saiz Ingatan | 8 Gb (512M x 16) | 4Gbit (256M x 16) |
| Kadar Data | 3200 MT/s | 1066 MHz (DDR3L-2133) |
| Tegangan Pemberi Arus | 1.2 V | 1.35V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Latensi CAS | 22 cycles | 20 ns |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 8 and 4 |
| Kemasan | 96-ball FBGA | 96-VFBGA (7.5x13mm) |
| Suhu Operasi | 0C to +95C (TC) | 0°C to +95°C (Tc) |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Antaramuka | — | Parallel |
| Jenis Pemasangan | — | Surface Mount |
| Boson Bebas | — | Yes |
| Organisasi | — | 256M x 16 |
| Bilangan Pin | — | 96 |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |