NT6AN8T6WBJ1B1 vs W634GU6RB09J Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng NT6AN8T6WBJ1B1 sa pamamagitan ng Nanya Technology at W634GU6RB09J sa pamamagitan ng Winbond. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | NT6AN8T6WBJ1B1 | W634GU6RB09J |
|---|---|---|
| Brand | Nanya Technology | Winbond |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Laki ng Memory | 8 Gb (512M x 16) | 4Gbit (256M x 16) |
| Rate ng Data | 3200 MT/s | 1066 MHz (DDR3L-2133) |
| Volte ng Pagbibigay | 1.2 V | 1.35V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Latensya ng CAS | 22 cycles | 20 ns |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 8 and 4 |
| Packhaging | 96-ball FBGA | 96-VFBGA (7.5x13mm) |
| Temperature na Operasyon | 0C to +95C (TC) | 0°C to +95°C (Tc) |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| Tindminan RoHS | Compliant | Compliant |
| Interface | — | Parallel |
| Uri ng Pagpapasok | — | Surface Mount |
| Wala sa Halogen | — | Yes |
| Organisasyon | — | 256M x 16 |
| Bilang ng Pins | — | 96 |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |