NT6AN8T6WBJ1B1 vs W634GU6RB09J مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ NT6AN8T6WBJ1B1 بواسطة Nanya Technology و W634GU6RB09J بواسطة Winbond. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | NT6AN8T6WBJ1B1 | W634GU6RB09J |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Nanya Technology | Winbond |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gb (512M x 16) | 4Gbit (256M x 16) |
| معدل البيانات | 3200 MT/s | 1066 MHz (DDR3L-2133) |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.35V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| زمن الوصول CAS | 22 cycles | 20 ns |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 8 and 4 |
| العلبة | 96-ball FBGA | 96-VFBGA (7.5x13mm) |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +95C (TC) | 0°C to +95°C (Tc) |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| الواجهة | — | Parallel |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| التنظيم | — | 256M x 16 |
| عدد الدبابيس | — | 96 |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |