NT6AN8T6WBJ1B1 vs W634GU6RB09J مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار NT6AN8T6WBJ1B1 توسط Nanya Technology و W634GU6RB09J توسط Winbond. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | NT6AN8T6WBJ1B1 | W634GU6RB09J |
|---|---|---|
| برند | Nanya Technology | Winbond |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gb (512M x 16) | 4Gbit (256M x 16) |
| نرخ داده | 3200 MT/s | 1066 MHz (DDR3L-2133) |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | 1.35V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| تأخیر CAS | 22 cycles | 20 ns |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 8 and 4 |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA | 96-VFBGA (7.5x13mm) |
| دمای کاری | 0C to +95C (TC) | 0°C to +95°C (Tc) |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| رابط | — | Parallel |
| نوع نصب | — | Surface Mount |
| بدون هالوژن | — | Yes |
| سازمان | — | 256M x 16 |
| تعداد پین‌ها | — | 96 |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |