NT6AN8T6WBJ1B1 vs W634GU6RB09J Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma NT6AN8T6WBJ1B1 tarafından Nanya Technology ve W634GU6RB09J tarafından WinbondAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | NT6AN8T6WBJ1B1 | W634GU6RB09J |
|---|---|---|
| Marka | Nanya Technology | Winbond |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Bellek Boyutu | 8 Gb (512M x 16) | 4Gbit (256M x 16) |
| Veri Hızı | 3200 MT/s | 1066 MHz (DDR3L-2133) |
| Besleme Gerilimi | 1.2 V | 1.35V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| CAS Gecikme | 22 cycles | 20 ns |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 8 and 4 |
| Paket | 96-ball FBGA | 96-VFBGA (7.5x13mm) |
| İşletim Sıcaklığı | 0C to +95C (TC) | 0°C to +95°C (Tc) |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Arayüz | — | Parallel |
| Montaj Türü | — | Surface Mount |
| Klorürsüz | — | Yes |
| Organizasyon | — | 256M x 16 |
| Pin Sayısı | — | 96 |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |