NT6AN8T6WBJ1B1 vs W634GU6RB09J Perbandingan
Perbandingan bersamaan detil NT6AN8T6WBJ1B1 dari Nanya Technology dan W634GU6RB09J dari Winbond. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.
Perbandingan Spesifikasi
| Parameter Umum | NT6AN8T6WBJ1B1 | W634GU6RB09J |
|---|---|---|
| Merek | Nanya Technology | Winbond |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Tipe Memori | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Ukuran Memori | 8 Gb (512M x 16) | 4Gbit (256M x 16) |
| Laju Data | 3200 MT/s | 1066 MHz (DDR3L-2133) |
| Tegangan Pemuat | 1.2 V | 1.35V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Latensi CAS | 22 cycles | 20 ns |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 8 and 4 |
| Paket | 96-ball FBGA | 96-VFBGA (7.5x13mm) |
| Suhu Kerja | 0C to +95C (TC) | 0°C to +95°C (Tc) |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Antarmuka | — | Parallel |
| Tipe Mounting | — | Surface Mount |
| Bebas Halogen | — | Yes |
| Organisasi | — | 256M x 16 |
| Jumlah Pin | — | 96 |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |