NT6AN8T6WBJ1B1 vs W634GU6RB09J השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של NT6AN8T6WBJ1B1 מאת Nanya Technology ו W634GU6RB09J מאת Winbond. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Nanya Technology
NT6AN8T6WBJ1B1 NT6AN8T6WBJ1B1 - 8Gb DDR4 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T6WBJ1B1 - 8Gb DDR4 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T6WBJ1B1 ✓ פעיל
Winbond
W634GU6RB09J W634GU6RB09J - 4Gb DDR3L SDRAM x16 1066MHz | Winbond

W634GU6RB09J - 4Gb DDR3L SDRAM x16 1066MHz | Winbond

W634GU6RB09J ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר NT6AN8T6WBJ1B1 W634GU6RB09J
מותג Nanya Technology Winbond
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון DDR4 SDRAM DDR3L SDRAM
גודל זיכרון 8 Gb (512M x 16) 4Gbit (256M x 16)
קצב נתונים 3200 MT/s 1066 MHz (DDR3L-2133)
מתח אספקה 1.2 V 1.35V
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
השהיית CAS 22 cycles 20 ns
Burst Length 8 (BL8), 4 (BC4) 8 and 4
מארז 96-ball FBGA 96-VFBGA (7.5x13mm)
טמפרטורת פעולה 0C to +95C (TC) 0°C to +95°C (Tc)
Refresh Auto-refresh, self-refresh —
On-Die Termination Yes (ODT) —
Bank Groups 4 groups of 4 banks —
Row Address 16 bits —
Column Address 10 bits —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
ממשק — Parallel
סוג הרכבה — Surface Mount
נטול הלוגנים — Yes
ארגון — 256M x 16
מספר פינים — 96
Ball Pitch — 0.8 mm

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר