NT6AN8T6WBJ1B1 vs W634GU6RB09J موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از NT6AN8T6WBJ1B1 بذریعہ Nanya Technology اور W634GU6RB09J بذریعہ Winbond. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Nanya Technology
NT6AN8T6WBJ1B1 NT6AN8T6WBJ1B1 - 8Gb DDR4 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T6WBJ1B1 - 8Gb DDR4 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T6WBJ1B1 ✓ فعال
Winbond
W634GU6RB09J W634GU6RB09J - 4Gb DDR3L SDRAM x16 1066MHz | Winbond

W634GU6RB09J - 4Gb DDR3L SDRAM x16 1066MHz | Winbond

W634GU6RB09J ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر NT6AN8T6WBJ1B1 W634GU6RB09J
برانڈ Nanya Technology Winbond
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR3L SDRAM
میموری سائز 8 Gb (512M x 16) 4Gbit (256M x 16)
ڈیٹا ریٹ 3200 MT/s 1066 MHz (DDR3L-2133)
سپلائی وولٹیج 1.2 V 1.35V
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
CAS لیٹنسی 22 cycles 20 ns
Burst Length 8 (BL8), 4 (BC4) 8 and 4
پیکیج 96-ball FBGA 96-VFBGA (7.5x13mm)
آپریٹنگ درجہ حرارت 0C to +95C (TC) 0°C to +95°C (Tc)
Refresh Auto-refresh, self-refresh —
On-Die Termination Yes (ODT) —
Bank Groups 4 groups of 4 banks —
Row Address 16 bits —
Column Address 10 bits —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
انٹرفیس — Parallel
ماؤنٹنگ ٹائپ — Surface Mount
ہیلوجن فری — Yes
تنظیم — 256M x 16
پنز کی تعداد — 96
Ball Pitch — 0.8 mm

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں