H5AN8G8NCJR-RDC vs K4A8G085WC-BCRC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G8NCJR-RDC بواسطة SK hynix و K4A8G085WC-BCRC بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G8NCJR-RDC | K4A8G085WC-BCRC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb (1 GB) | 8 Gbit |
| التنظيم | x8 | 1G x 8 |
| معدل البيانات | up to 2666 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| جهد التغذية | 1.2 V (VDD) | 1.2 V |
| الواجهة | DDR4 (JEDEC standard) | — |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| العلبة | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (TFBGA) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] | 0C to +95C |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] | — |
| Generation | C-die family (NCJR) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Terminal Pitch | — | 0.8 mm |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Refresh | — | Auto/Self refresh |