H5AN8G8NCJR-RDC vs K4A8G085WC-BCRC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G8NCJR-RDC توسط SK hynix و K4A8G085WC-BCRC توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G8NCJR-RDC | K4A8G085WC-BCRC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | DRAM |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb (1 GB) | 8 Gbit |
| سازمان | x8 | 1G x 8 |
| نرخ داده | up to 2666 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V (VDD) | 1.2 V |
| رابط | DDR4 (JEDEC standard) | — |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| بسته‌بندی | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (TFBGA) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] | 0C to +95C |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] | — |
| Generation | C-die family (NCJR) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Terminal Pitch | — | 0.8 mm |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Refresh | — | Auto/Self refresh |