H5AN8G8NCJR-RDC vs K4A8G085WC-BCRC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN8G8NCJR-RDC द्वारा SK hynix और K4A8G085WC-BCRC द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5AN8G8NCJR-RDC | K4A8G085WC-BCRC |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | DRAM |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb (1 GB) | 8 Gbit |
| संगठन | x8 | 1G x 8 |
| डेटा दर | up to 2666 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V (VDD) | 1.2 V |
| इंटरफ़ेस | DDR4 (JEDEC standard) | — |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| पैकेज | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (TFBGA) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] | 0C to +95C |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] | — |
| Generation | C-die family (NCJR) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Terminal Pitch | — | 0.8 mm |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Refresh | — | Auto/Self refresh |