H5AN8G8NCJR-RDC vs K4A8G085WC-BCRC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN8G8NCJR-RDC מאת SK hynix ו K4A8G085WC-BCRC מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN8G8NCJR-RDC | K4A8G085WC-BCRC |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | DRAM |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb (1 GB) | 8 Gbit |
| ארגון | x8 | 1G x 8 |
| קצב נתונים | up to 2666 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| מתח אספקה | 1.2 V (VDD) | 1.2 V |
| ממשק | DDR4 (JEDEC standard) | — |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| מארז | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (TFBGA) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] | 0C to +95C |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] | — |
| Generation | C-die family (NCJR) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Terminal Pitch | — | 0.8 mm |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Refresh | — | Auto/Self refresh |