H5AN8G8NCJR-RDC vs K4A8G085WC-BCRC Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma H5AN8G8NCJR-RDC tarafından SK hynix ve K4A8G085WC-BCRC tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | H5AN8G8NCJR-RDC | K4A8G085WC-BCRC |
|---|---|---|
| Marka | SK hynix | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | DRAM |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb (1 GB) | 8 Gbit |
| Organizasyon | x8 | 1G x 8 |
| Veri Hızı | up to 2666 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Besleme Gerilimi | 1.2 V (VDD) | 1.2 V |
| Arayüz | DDR4 (JEDEC standard) | — |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| Paket | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (TFBGA) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] | 0C to +95C |
| CAS Gecikme | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] | — |
| Generation | C-die family (NCJR) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Klorürsüz | Yes | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Terminal Pitch | — | 0.8 mm |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Refresh | — | Auto/Self refresh |