IPW60R080P7XKSA1 vs IPW60R041C6FKSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPW60R080P7XKSA1 بواسطة Infineon و IPW60R041C6FKSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPW60R080P7XKSA1 | IPW60R041C6FKSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | NRND |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolMOS P7 | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 37 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 129 W | — |
| RDS(on) (typ) | 69 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V (typ, per datasheet family) | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Rise Time / Fall Time (tr/tf) | [DATA_NEEDED: tr/tf value] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +150 C (junction) | -55°C to +150°C |
| العلبة | PG-TO247-3 (TO-247, 3-pin through-hole) | PG-TO247-3-1 (TO-247-3) |
| نوع التركيب | Through Hole | Through Hole |
| Packaging | Tube (XKSA1 ordering suffix) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Technology | — | CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel) |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 77.5 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 481 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 41 mΩ at VGS=10V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.5 V to 3.5 V typical |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Rise Time (tr) | — | [DATA_NEEDED: tr value] |
| Fall Time (tf) | — | [DATA_NEEDED: tf value] |
| مستوى MSL | — | Not Applicable (Through-hole) |
| Lead-Free | — | Yes |