IPW60R080P7XKSA1 vs IPW60R041C6FKSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPW60R080P7XKSA1 द्वारा Infineon और IPW60R041C6FKSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPW60R080P7XKSA1 | IPW60R041C6FKSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | NRND |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolMOS P7 | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 37 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 129 W | — |
| RDS(on) (typ) | 69 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V (typ, per datasheet family) | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Rise Time / Fall Time (tr/tf) | [DATA_NEEDED: tr/tf value] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +150 C (junction) | -55°C to +150°C |
| पैकेज | PG-TO247-3 (TO-247, 3-pin through-hole) | PG-TO247-3-1 (TO-247-3) |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Through Hole |
| Packaging | Tube (XKSA1 ordering suffix) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Technology | — | CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel) |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 77.5 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 481 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 41 mΩ at VGS=10V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.5 V to 3.5 V typical |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Rise Time (tr) | — | [DATA_NEEDED: tr value] |
| Fall Time (tf) | — | [DATA_NEEDED: tf value] |
| MSL स्तर | — | Not Applicable (Through-hole) |
| Lead-Free | — | Yes |