IPW60R080P7XKSA1 vs IPW60R041C6FKSA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPW60R080P7XKSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPW60R041C6FKSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPW60R080P7XKSA1 IPW60R080P7XKSA1 - 600V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET | Infineon

IPW60R080P7XKSA1 - 600V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET | Infineon

IPW60R080P7XKSA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPW60R080P7XKSA1 IPW60R041C6FKSA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় NRND
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS P7 —
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 37 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 129 W —
RDS(on) (typ) 69 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V (typ, per datasheet family) —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Rise Time / Fall Time (tr/tf) [DATA_NEEDED: tr/tf value] —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 C to +150 C (junction) -55°C to +150°C
প্যাকেজ PG-TO247-3 (TO-247, 3-pin through-hole) PG-TO247-3-1 (TO-247-3)
মাউন্টিং টাইপ Through Hole Through Hole
Packaging Tube (XKSA1 ordering suffix) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Technology — CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 77.5 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 481 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 41 mΩ at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V to 3.5 V typical
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr value]
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf value]
MSL লেভেল — Not Applicable (Through-hole)
Lead-Free — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট