IPW60R080P7XKSA1 vs IPW60R041C6FKSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPW60R080P7XKSA1 tarafından Infineon ve IPW60R041C6FKSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPW60R080P7XKSA1 | IPW60R041C6FKSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | NRND |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolMOS P7 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 37 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 129 W | — |
| RDS(on) (typ) | 69 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V (typ, per datasheet family) | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Rise Time / Fall Time (tr/tf) | [DATA_NEEDED: tr/tf value] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +150 C (junction) | -55°C to +150°C |
| Paket | PG-TO247-3 (TO-247, 3-pin through-hole) | PG-TO247-3-1 (TO-247-3) |
| Montaj Türü | Through Hole | Through Hole |
| Packaging | Tube (XKSA1 ordering suffix) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Technology | — | CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel) |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 77.5 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 481 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 41 mΩ at VGS=10V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.5 V to 3.5 V typical |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Rise Time (tr) | — | [DATA_NEEDED: tr value] |
| Fall Time (tf) | — | [DATA_NEEDED: tf value] |
| MSL Seviyesi | — | Not Applicable (Through-hole) |
| Lead-Free | — | Yes |